晶圓清洗

主要用來去除晶圓Saw Damage。

表面粗糙化蝕刻

使晶圓表面形成粗糙化，增加入射光機率。

磷擴散

將晶片在高溫爐中通入含磷氣體，使電洞較多的P型矽晶片表層滲入磷，形成電子較多的N型區域。

此即光電轉換效應所需的P-N接面。

磷玻璃移除及化學方式晶邊絕緣

主要是將磷擴散過程中會在整片晶片外層形成磷玻璃，必須以去除後才能進行後續製程，同時該製

程也會進行晶片絕緣處理。

電漿增益化學氣相沉積

利用化學氣體在高溫爐中反應，於晶片表面形成抗反射鍍層，用來提升光子吸收率，並於背面形成

鈍化層，降低載子複合機率。

雷射開孔

讓背面膠料能夠滲入形成良好局部背電場(BSF)介面。

網印製程

主要是正反面粗細電極皆以網印方式將含銀、鋁之膠料印製於晶片表面。

快速燒結

主要是金屬漿料經過網印、烘乾之步驟，經由燒結處理，使其穿透正面/背面鍍層並滲入矽晶片表層，

緊密結合並將電流導出。

外觀檢查及電性測試分類

主要是將燒結完成之晶圓進行外觀與效能檢測，並依檢測結果(正反面外觀、量測光電轉換效率等電性資料)，

依據所設定之產品分類定義進行篩選分類。