| 组件研发计划 |
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| 高效能组件开发 |
| 太阳能电池转换效率直接影响其所能产生之电量，亦为影响太阳能电池成本之重要因素，目前传统结构单晶硅太阳能电池的转换效率约为17%～21%，多晶硅太阳能电池则约为17%～18.5 采用高转换效率太阳能电池外，同时导入高反射背板及高穿透型EVA材料，减少损失提高模块之转换效率。 |
| 焊接技术及材料应用 |
| 太阳能电池主要制造材料仍以结晶硅为主，硅芯片为生产太阳能电池最主要之原料，硅芯片的厚度影响硅晶的使用量，芯片薄形化发展，减少使用量除了可降低成本外，亦可减缓上游硅材料供给不足之压力，但却增加模块在制造过程的困难度，需藉由提升焊接技术及改良材料特性，配合实际生产进行调整，同时也评估无铅(Pb-Free)焊带的可行性，以因应未来市场需求。 |
| 延长产品寿命 |
| 太阳能发电系统设置系吸收太阳光转换为电能，装置于户外，必需具备在户外严苛的天候下依然能正常运作特性，目前国外大厂对太阳能组件寿命要求约为20~25年，未來将朝向发展新的装组材料及技术，引进自动化设备以提升产品质量及可靠度，采用之方式包括研发耐用年限较长之封装材料，或改用其他不同之组件架构等。 |
| 提升组件发电效能 |
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如太阳光总能量输入为100%时，将有8%的能量因光线反射及漫射导致损失，其中以热能方式造成的损失高达76%为高最值，所以在设计的过程中需寻找正确的方法有效降低上述二项损失，提高组件输出效能。
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| 电池研发计划 |
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| TSEC太阳能研发团队具备太阳能、半导体等相关领域丰富知识与技术专才人员，秉持技术自主，并与国内外设备与材料厂商共同合作开发新制程、新材料等多项前瞻计划，同时与国内多间国立大学共同执行产学合作计划，本公司亦于102年通过经济部工业局『主导性新产品开发计划』，并与工业技术研究院密切合作，藉由产、官、学界的通力合作，相信对于未来研发计划与新型太阳能电池的开发将有实质上的成果表现。 |
| 高效类单晶(Mono-like)太阳能电池开发 |
| 多晶硅产品在未来仍有主流优势，在市场上仍会有相当长的生命周期，虽然因多晶硅晶圆的晶格问题使18.0%的转换效率已到极限。类单晶产品，为多晶硅之改良，比多晶硅产品效率好、成本优，且没有光衰现象的问题。为开发高效率类单晶(Mono- like)硅晶太阳能电池片之关键技术，针对几项技术进行研发，包括选择性射极结构制程、阻值改善/电及材料配方改善、扩散制程优化/增加光吸收效应、蚀刻制程优化/降低反射。期使将类单晶太阳电池效率提升至19.2％以上。 |
| N型(N-type)太阳能电池开发 |
| N-type晶圆较P-type晶圆具有较高的少数载子生命周期(carrier lifetime)，并且对于金属污染容忍度也较高，因此用来发展太阳能电池有其先天优势。一般的N型太阳能电池可搭配本公司既有之PERC技术与现有制程可高度兼容，毋须投入大量研发成本。而目前超高效率N型太阳能电池技术有以下两种：指叉式背电极太阳电池(Interdigitated Back Contact Solar Cells，IBC)；以及异质接面结合本质硅薄膜太阳电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer Solar Cells，HIT)。此两种方式目前皆可达到效率24%以上。因此本公司正全力研发下一世代超高效率N型太阳能电池，以追求更高效率、更具经济价值之太阳能电池产品。 |
